台积电首推2纳米制程技术,或将于2025年量产

台湾《联合报》6月14日报道称,台积电于美国当地时间16日举办2022年北美技术论坛,首度推出采用纳米片晶体管之下一世代先进2纳米(N2)制程技术,以及支援N3与N3E制程的独特TSMC FINFLEX技术,外界推测其将成为全球第1家率先提供2纳米制程代工服务的晶圆厂。

台积电在北美技术论坛揭示以下主要技术焦点:支援N3及N3E的TSMC FINFLEX技术。这项技术平台,除了涵盖台积电即将于今年下半年量产的3纳米(N3)技术,并将搭配创新的 TSMC FINFLEX架构。

据了解,TSMC FINFLEX技术,是在开发3纳米时,同时让2纳米(N2)获得重大突破。这项技术提供多样化的标准元件选择:3-2鳍结构支援超高效能、2-1 鳍结构支援最佳功耗效率与晶体管密度、2-2鳍结构则是支援平衡两者的高效效能。

台积电表示,TSMC FINFLEX架构,能够精准协助客户完成符合其需求的系统单晶片设计,各功能区块采用最优化的鳍结构,支援所需的效能、功耗与面积,同时整合至相同的芯片上。

台积电强调,在相同功耗下,2纳米的速度增快10~15%,或在相同速度下,功耗降低25~30%,开启了高效效能的新纪元。

2纳米采用纳米片晶体管架构,使其效能及功耗效率提升一个世代,协助台积客户实现下一代产品的创新。除行动运算的基本版本,2纳米技术平台也涵盖高效能版本及完备的小芯片(chiplet)整合解决方案,并预定2025年开始量产。

除台积电外,三星和英特尔也在布局2纳米芯片制造。其中,三星芯片代工业务的高管曾在去年10月透露,该公司有望在2025 年下半年使用其2纳米制造工艺量产芯片。英特尔则在今年4月透露,预计下一代Intel 18A制程(相当于1.8纳米)将提前在2024年下半年投产。

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